在经历了整整四天的时间后，当进入七月，全新的一周来临时，《探索》期刊终于对外公开了它最新一期的《探索·总刊》与《探索·材料学》。
第一时间，几乎所有在等待的人员都或购买或从《探索》期刊的官网上购买了这两篇论文的电子版本论文。
没有去翻阅这两篇论文的具体内容，也没有关注它有多少字，所有人在第一时间看向了这两篇论文作者的署名。
第九百七十八章：可怜的华威~
《基于高密集成碳纳米管阵列的高性能碳基芯片！》.通讯作者·徐川。
《基于碳基半导体材料高密集成碳纳米管阵列的方法！》第一作者、通讯作者·徐川.
当那个熟悉的名字映入所有人眼帘的时候，硅基芯片与硅基半导体产业的天，塌了。
两篇论文的通讯作者都挂着徐川教授的名字，甚至那篇高密度集成碳纳米管阵列方法的论文还挂着第一作者。
对于从事半导体领域研究的学者或技术人员来说，所有人都清楚这意味着什么。
碳基芯片一直以来最大的难题，就是如何精确控制碳纳米管的排列。
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