理论上来说，硅基芯片的极限在一纳米。
不过因为硅原子的大小和隧穿效应的限制，这只是理论上的极限。
事实上，目前的芯片制造技术，是无法抵达这个极限的。
哪怕是最先进的台积电，计划生产两纳米芯片，但实际上依旧使用的叠加技术，单个晶体管的大小，并没有达到两纳米。
所以实际上来说，传统硅基芯片单晶体管目前能做出来的大小，顶多在两纳米。
而现在，相关的技术已经逼临这个极限了。
如果华国继续在硅基芯片上投资，研发相关的技术，先不说能否追赶上来，光是追赶上来后，后续该怎么走，就是个大问题。
硅基芯片，前面没路了啊。
至少理论上来说已经没有可以前进的路线了。
将大量的投资砸到一条看得到尽头，而且目前还是对手领先的道路上，哪怕芯片的重要性再高，也不是这样玩的。
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