尤其是对于华国来说，这更意味着被卡脖子已久的领域实现了技术突破，它将为国家带来全新的产业升级和经济收益的巨大潜力。
如果说硅谷是米国国经济腾飞的催化剂，那么摩尔定律放缓是硅芯片走向没落的导火线。
毕竟硅原子有自身的宽度限制，而量子力学带来的隧穿效应也会随着晶体管的不断缩小，也会变得愈发严重。
尽管理论上来说硅基芯片的迹象能降低到一纳米左右，但实际上当硅基芯片中晶体管的逻辑电路门的厚度低于七纳米的时候，量子遂穿效应就会发生。
而且随着纳米数越低，遂穿效应也就会越严重。
伴随着技术的发展，无论是量子遂穿效应还是光刻纳米的难度，都会在各种各样的因素综合作用下限制硅基芯片的未来。
发展到现在，硅基芯片的未来上限其实是已经可以看到的。
但人类前进的脚步是不会停下的，如果说硅基芯片有上限，那么寻找替代它的产品就是必须的。
而碳基材料就是此前研究最火热的未来方向之一。
但问题是如何精确、稳定的排列与控制‘碳纳米管阵列’或‘石墨烯’等碳材料，来形成碳基晶体管集成阵列是各国一直都没能解决的难题。
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